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BLDC Motor Controller mit Toshiba M37Sigma


barney

Empfohlene BeitrÀge

Geschrieben (bearbeitet)

Hi,

 

wie angekĂŒndigt habe ich meine Versuche mit Arduino DUE und Teensy 3.1 als BLDC Controller beendet.

 

Wie schon die Überschrift aufzeigt, habe ich ein neues Spielzeug. Den M373 Sigma von Toshiba. In der schlichten Zusammenfassung ein 32Bit Mikrocontroller mit 80MHz CPU Takt. Bis dahin kaum Unterschiede zum Teensy 3.1 oder Arduino DUE. Nun aber der große Unterschied. Es ist eine Vector Engine in Hardware eingebaut. (

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) Die ADCs sind auch 12Bit, werden aber mit der PWM Synchronisiert, so das bei der Strommessung keine großen Fehlmessungen entstehen. Um nicht als zu sehr in Detail zu gehen, es wird eine Muster Firmware mitgeliefert, die fast alles beinhaltet was ich benötige. Ich habe Kontakt zu den Toshiba Programmierer aufgenommen und dieser will mich bei der fehlenden PWM-Bremse unterstĂŒtzen. Zwischenzeitliche habe ich mir das kleine Board zugelegt. Es ist nur fĂŒr ca. 2000mA ausgelegt, aber die MOSFETs sind bis 14A spezifiziert. Es reicht fĂŒr erste Tests. Nach einigen Hörversuche habe ich mich fĂŒr eine 20kHz PWM entschieden. Da ist kein lĂ€stiges Fiepen mehr zu hören. Die Spannungskurven sind dem Sinus recht Ă€hnlich und da keine Blockkommutierung durchgefĂŒhrt wird, wird der Motor ĂŒber alle drei Wicklungen bestromt. Die Laien streiten sich um eine Verbesserung der Motorleistungswerte zwischen 15-30%. Wie auch immer, die von mir getesteten Motoren laufen ruhig und leise. Derzeit versuche ich ohne Sensoren auszukommen und durch die Besonderheit der Sinuskommutierung werde ich wohl keine benötigen.

 

Durch meinen Spieltrieb habe ich eine alte 5400U/min Festplatte auf ca. 20.000U/min hochgedreht. Nicht nach dem Sinn fragen, nur Spaß haben.

 

Nun aber meine ersten Feststellungen, auch wenn diese der Fachwelt völlig bekannt sind.

 

Das Demoboard wird mit einem Shunt geliefert. Damit ist leider der M373 nur unschön am Laufen. Die Strommessung sieht grausig aus. Die DrehzahlabschĂ€tzung verlĂ€uft unruhig. Nun hatte ich sowieso vor, die Strangströme des Motors zu messen. Zwei ACS756-050 sollten fĂŒr meine Anwendung ausreichen. Da das Board nur fĂŒr 2000mA ausgelegt ist, passen solche Stromsensoren mit dem Messbereich von +-50A nicht besonders gut (50mV/A). Aber welch Überraschung, die Bestimmung der NulldurchgĂ€nge ist um GrĂ¶ĂŸenordnungen besser, als die mit einen Shunt. Die Motoren können kraftvoll aus dem Stand durchziehen. Da mit 2000mA kein Motor fĂŒr ein E-Skate betrieben werden kann, habe ich schon die Bauteile fĂŒr eine 100A 40V Endstufe in der TĂŒte liegen. Leider hat sich mein Lötkolben in der Temperaturgenauigkeit verabschiedet, aber ich rechne damit, das in 1-2 Wochen diese Endstufe fertig ist und diese mein Board antreiben wird. Mal sehen, wie schnell mir Toshiba bei der PWM-Bremse hilft. Sollte das alles klappen, wird eine Leiterplatte mit Eagle entworfen und bei Conti in Auftrag gegeben.....

 

VG

 

Barney

bearbeitet von barney
Geschrieben

Na bei Dir geht richtig was vorwÀrts...

Und unser eins kommt hier kaum vom Fleck :o

 

Aber sehr schönes Projekt. Da werden die Motoren wahrscheinlich richtig gut performen. Besonders das Drehmoment von unten raus dĂŒrfte mit der Sinusansteuerung merklich steigen. Auch der Wirkungsgrad sollte noch ein wenig besser sein.

Ich bin gespannt!

Geschrieben

Heute ein unbestimmter RĂŒckschlag. Der Programmierer von Toshiba hat festgestellt das eine PWM Bremse sich doch nicht leicht realisieren lĂ€sst. Die VE (Vector Engine) beeinflusst direkt die PWM Ansteuerung. Jetzt ist er am ĂŒberlegen wie man das am besten hinbekommt.

Solange kann ich auf die Lieferung der neuen Lötstation warten...

  • 4 weeks later...
Geschrieben

Toshiba war so freundlich den Bremscode einzubauen. Leider konnte ich diesen noch nicht testen, da ich diesen nicht kompiliert bekomme. Ich habe noch nie mit einen IAR-Compiler gearbeitet und stelle mich sicherlich zu blöd an. Hilfe habe ich von Toshiba erbeten, mal sehen.

 

Um mir die Zeit zu vertreiben, habe ich den IR2181 High-Low-Side Driver mit den MOSFETs IRF1404 simuliert. Zum GlĂŒck habe ich die Schaltung vorher simuliert. Das hĂ€tte beim Aufbau und Test eine böse Überraschung gegeben. Der Driver benötigt einen Zyklus, bis der Kondensator aufgeladen ist und die High-Side mit Spannung versorgt.

 

Mit Eagle zeichne ich derzeit eine Leiterplatte, die auf dem Referenzdesign von Toshiba basiert. Da ich mir keine vier Lagen leisten kann und nicht die Mini Version von SMD-WiderstĂ€nden löten möchte, werden es MĂ€nner Bauteile (also welche, die Mann anfassen kann und auch Messungen durchfĂŒhren kann). Nein, dass ganze soll auch Reparabel bleiben und da nĂŒtzen aufgelötete OPs und IR2181 nichts. Mindesten einer im Forum weiß warum :D (IR2101).

 

Will damit sagen, ich kann es kaum erwarten die BremsfÀhige Firmware testen zu können....

1403516201_SimulationIR2181.thumb.png.29b65325d3d99ee8ad94cbb3e4d8f6c0.png

Geschrieben

Um mir die Zeit zu vertreiben, habe ich den IR2181 High-Low-Side Driver mit den MOSFETs IRF1404 simuliert. Zum GlĂŒck habe ich die Schaltung vorher simuliert. Das hĂ€tte beim Aufbau und Test eine böse Überraschung gegeben. Der Driver benötigt einen Zyklus, bis der Kondensator aufgeladen ist und die High-Side mit Spannung versorgt.

Das "Problem" haben alle Bootstrap-Schaltungen. Der untere FET muss erst einmal durchgeschaltet haben, damit der Kondensator geladen werden kann.

 

Ich wĂŒrde den Kondensator auch nicht so groß wĂ€hlen oder aber noch einen kleinen 100nF Keramik parallel schalten. In der Sim mag es gehen, aber in der RealitĂ€t liefert der kleinere keramische schneller Strom.

 

Der IRF1404 hat etwa 13nF am Gate. Mit dem 20-50 fachen an bootstrap-KapazitÀt bricht die Spannung schon nur noch um 2-5% ein. Mehr als 470nF hÀtte ich da jetzt nicht angebaut. Besonders, weil Du eh hohe Frequenzen fahren willst.

Geschrieben
Das "Problem" haben alle Bootstrap-Schaltungen. Der untere FET muss erst einmal durchgeschaltet haben, damit der Kondensator geladen werden kann.

 

Ich wĂŒrde den Kondensator auch nicht so groß wĂ€hlen oder aber noch einen kleinen 100nF Keramik parallel schalten. In der Sim mag es gehen, aber in der RealitĂ€t liefert der kleinere keramische schneller Strom.

 

Der IRF1404 hat etwa 13nF am Gate. Mit dem 20-50 fachen an bootstrap-KapazitÀt bricht die Spannung schon nur noch um 2-5% ein. Mehr als 470nF hÀtte ich da jetzt nicht angebaut. Besonders, weil Du eh hohe Frequenzen fahren willst.

 

Hi Beatbuzzer,

 

13nF? Wo hast du diesen schrecklichen Wert her? 5.7nF steht im Datenblatt. Im Spice Modell finde ich da andere Werte:

 

M1 9 7 8 8 MM L=100u W=100u

.MODEL MM NMOS LEVEL=1 IS=1e-32

+VTO=3.74133 LAMBDA=0.00250986 KP=514.947

+CGSO=7.17952e-05 CGDO=1.60578e-08

 

Kannst du mir deine Quelle nennen?

???

 

Die 4.7”F wurden von Toshiba verwendet. Die haben auch auf einen kleinen 100nF fĂŒr die höheren Frequenzen verzichtet. DafĂŒr wurde der Diode ein 1Ohm Widerstand vorgeschaltet. Ich werde die Simulation mit kleineren C versuchen. Die Ströme am Gate lagen bei ca. 600mA.

War eh ein erster Test in der Simulation, aber danke fĂŒr die Hinweise und Anregungen.

 

VG

 

Barney

Geschrieben

Kannst du mir deine Quelle nennen?

???

Meine Quelle ist das Datenblatt von IRF:

Externe Links nur fĂŒr Mitglieder sichtbar

Ich rechne bei sowas immer mit der total gate charge. Diese ist hier mit 131 nC typisch angegeben und bezieht sich auf 10V am gate.

Umgerechnet in KapazitÀt sind das also 131 nC / 10V = 13.1 nF.

 

Der IRF1404 ist auch ne Nummer. Bist Du auf TO220 aus, oder hĂ€ttest Du auch Platz fĂŒr TO247? 'Mein' IRFP3306 hat nen niedrigeren Durchgangswiderstand auch wegen der grĂ¶ĂŸeren Beinchen und des stĂ€rkeren Bondings und hat gleichzeitig nur typ 85 nC gate-Ladung. Und die Spannungsfestigkeit liegt bei 60V. DIe 40V vom IRF1404 wĂ€ren mir bei SpannungsĂŒberhöhungen etwas eng, wenn der volle Akku schon knapp 29V hat...

 

Was die bootstrap-Ansteuerung angeht war das nur ne Anregung nach meinem technischen GefĂŒhl. Da will ich dir bzw. Toshiba nicht reinreden, ich hab bisher immer mit DC/DC-Wandler am Treiber gearbeitet, um die highside auch dauerhaft einschalten zu können. Macht aber bei nem BLDC natĂŒrlich nicht viel Sinn ;)

Geschrieben
Meine Quelle ist das Datenblatt von IRF:

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Ich rechne bei sowas immer mit der total gate charge. Diese ist hier mit 131 nC typisch angegeben und bezieht sich auf 10V am gate.

Umgerechnet in KapazitÀt sind das also 131 nC / 10V = 13.1 nF.

 

Der IRF1404 ist auch ne Nummer. Bist Du auf TO220 aus, oder hĂ€ttest Du auch Platz fĂŒr TO247? 'Mein' IRFP3306 hat nen niedrigeren Durchgangswiderstand auch wegen der grĂ¶ĂŸeren Beinchen und des stĂ€rkeren Bondings und hat gleichzeitig nur typ 85 nC gate-Ladung. Und die Spannungsfestigkeit liegt bei 60V. DIe 40V vom IRF1404 wĂ€ren mir bei SpannungsĂŒberhöhungen etwas eng, wenn der volle Akku schon knapp 29V hat...

 

Was die bootstrap-Ansteuerung angeht war das nur ne Anregung nach meinem technischen GefĂŒhl. Da will ich dir bzw. Toshiba nicht reinreden, ich hab bisher immer mit DC/DC-Wandler am Treiber gearbeitet, um die highside auch dauerhaft einschalten zu können. Macht aber bei nem BLDC natĂŒrlich nicht viel Sinn ;)

 

Hi Beat,

 

du treibst mich in eine tiefe Sinnkrise!

 

IRF1404 vs IRFP3306:

Der IRF1404 geht bis 40V und andere Typen mit niedrigen Ron mit 60V habe ich auf Anhieb nicht gefunden. Dein Vorschlag ist echt interessant, leider wird dieser nicht von meinem Haus und Hof Lieferant angeboten. Was aber viel schlimmer ist, ist die Tatsache, dass ich kein SPICE-Modell vom IRFP3306 finde und ich simuliere sehr gerne vorher die Schaltung. Also Mut zur LĂŒcke.

 

FĂŒr eine besser Strombelastbarkeit wĂŒrde ich auch eher zu zwei MOSFETs parallel tendieren. Damit sollte der Strombereich bis 120A Last abgedeckt sein. Beim ersten Layout versuch bin ich zur Überzeugung gekommen, die MOSFETS hinzulegen und auf einem großen KĂŒhlkörper festzuschrauben. Die Leiterplatte wird dann drĂŒber raufgelötet. Damit mĂŒsste ich Sonnis Anforderung auf eine kleine Schaltung hinbekommen.

 

C vs Q:

 

Folgendes Möchte ich von:

 

Zitieren

"APPLICATION NOTE

PRACTICAL CONSIDERATIONS IN HIGH PERFORMANCE MOSFET, IGBT and MCT GATE DRIVE CIRCUITS

von BILL ANDREYCAK

U-137

EFFECTIVE GATE CAPACITANCE

 

The Mosfet input capacitance (Ciss) is frequently misused as the load represented by a power mosfet

to the gate driver IC. In reality, the effective input capacitance of a Mosfet (Ceff) is much higher, and

must be derived from the manufacturers’ published total gate charge (Qg) information. Even the speci-

fied maximum values of the gate charge parameter do not accurately reflect the driver’s instantaneous

loads during a given switching transition. Fortunately, FET manufacturers provide a curve for the gate-to-

source voltage (Vgs) versus total gate charge in their datasheets. This will be segmented into four

time intervals of interest per switching transition.

Each of these will be analyzed to determine the effective gate capacitance and driver requirements

for optimal performance."

 

Ich will damit sagen

Danke Beatbuzzer, ich fĂŒhle mich jetzt voll OLDSHOOL!

 

Zwei Stunden Lang habe ich Vorlesungsunterlagen und FachbĂŒcher gewĂ€lzt. Und in keine Schrift wird Q behandelt. Es scheint so eine Art neu modische Scheiß. zu sein.

 

Selbst meine beiden LieblingsbĂŒcher:

"EinfĂŒhrung in die Analog und Digitaltechnik", sowie

"CMOS Analog Circuit Design"

 

behandeln so was nicht.

In "CMOS Analog Circuit Design" wird die KapazitÀt des Gates im "Large Signal Modell" anders angegangen. Sieht der Q Geschichte recht Àhnlich.

 

Aber ich möchte meinen Zeitansatz gerne mit euch partizipieren:

 

Da ich zwei MOSFETs parallel schalte, nehme ich fĂŒr den Bootstrap Kondensator 1”F (Ă€tsch):D

 

Möchtest Du mir noch mit anderweitigen Anmerkungen den Tag versauen? :skep:

 

VG

 

Barney

Geschrieben

Den irfp3306 gibts bei Reichelt. Ne Nummer besser wĂ€re noch der irfp3206, hat aber schon wieder 120nC. Wenn du parallel schalten willst, wĂ€ren zwei etwas schwĂ€chere FETs natĂŒrlich besser als ein stĂ€rkerer. Denn die WiderstĂ€nde des GehĂ€uses (der AnschlĂŒsse) sind ja immer gleich.

 

Vom GehĂ€use her (package limit) sind irfp3206 und irfp3306 bis 120A zugelassen. Der irf1404 kann nur 75A. Und da die Ströme eh nicht dauerhaft fliessen, sollte auch einer von den irfp's reichen. FĂŒr mein nĂ€chstes Board hab ich mir schon zwei irfp3206 fĂŒr eine HalbbrĂŒcke besorgt.

 

Möchtest Du mir noch mit anderweitigen Anmerkungen den Tag versauen? :skep:

Ignorier mich doch einfach :D

Geschrieben

Zu spÀt zum Ignorieren :D

 

Jetzt kĂ€mpfe ich mich durch die neuesten Highlights von IR. Da sind schöne 60V MOSFETs mit 1.5mOhm! Ich weiß nur nicht, wie ich diese fest löten soll.

Geschrieben

Hi Beatbuzzer,

 

ich bekomme langsam eine Feile...

 

Der

IRLS3036-7PPbF -> hat ewige Schaltzeiten

IRFB3206 -> hat gute Schaltzeiten aber einen zu niedrigen Strom. Ist aber derzeit fĂŒr 60V der Favorit.

 

Und die anderen 5 Typen, die ich verglichen habe sind irgendwo in den Parametern Mist oder nicht zu kaufen.

 

Ich möchte ja nicht gerne meinen 70HV zerlegen, aber die kleinen MOSFETs wĂŒrden mich schon interessieren. Hast Du zufĂ€llig eine Ahnung welche MOSFETs da verwendet werden?

 

VG

 

Barney

Geschrieben

Da sind meistens FETs im SO-8 GehĂ€use drin und dann einige parallel. FĂŒr 60V wĂ€re z.B. der IRF7855 ne Idee.

Die massiveren Steller im 300+ A Bereich verwenden auch D-pak GehÀuse, z.B der IRF3205S...

 

Und vergiss nicht den IRFP3006, wenn Du es im TO-247 package noch etwas brutaler haben willst:

Externe Links nur fĂŒr Mitglieder sichtbar

 

so long :D

Geschrieben

High Beatbuzzer,

bis jetzt habe ich die Kataloge gewÀlzt. Die Leistungs MOSFETs im SO-8 bekommt man beim Distributor nur bis 32A.

● 5x6=30 aufzulöten fĂŒr 150A finde ich ĂŒbertrieben.

● Die High Power MOSFETs mit ĂŒber 200A sind zu langsam.

● TO220 und TO247 lassen sich gut kĂŒhlen, verursachen aber lange Leitungswege.

● D2PACK könnten platzsparend auf die Unterseite designt werden.

● Das BGA Exoten GehĂ€use von IR kann kaum einer löten.

 

-> D2PACK.

Als Lieferant fĂŒr die Halbleiter bleiben nur Mauser und Digikey mit satten LiefergebĂŒhren. Oder die TO GehĂ€use.

Watt fĂŒr'n Mist.

 

VG

 

Barney

Geschrieben

D2Pak -> IRFS3006 -> 60V, 240A package limit. Da haste was ;)

 

Ansonsten kannst Du auch TO-247 sparsam genug anordnen. Zwei mal drei in Reihe isoliert auf einem KĂŒhlkörper bzw Blech. Eine Reihe Drain gebrĂŒckt, andere Reihe Source gebrĂŒckt. An den gelben Verbindungen den Motor dran. Die Gates alle nach oben gewinkelt und die Platine oben drĂŒber:

Projekt1.thumb.jpg.f0bfbae3fa8ccf880877e42d9493d4cd.jpg

Geschrieben

Hi Beatbuzzer,

 

es wird wohl am KĂŒhlkörper enden. Ich habe keine Vorstellung wie Warm die MOSFETs werden. Ich benötige nur Ströme bis 70A. Da sollte der IRFS3006 noch genĂŒgend Reserven haben. Leider ist der IRFS3006 wieder mal nicht im D2PAK-7PPBF leicht zu bekommen und dann stellt sich wieder die Frage wie KĂŒhle ich diese. Ist wie bei einem RAM-Riegel mit KĂŒhlkörper. Meist nur fĂŒr das Auge, aber wenig wirkungsvoll.

 

Ich lache mich tot, bei Unrad fĂŒr € 5,- im D2PAK-7pin GehĂ€use.

 

So Ende, jetzt wird nochmal Simuliert. Dann teste ich noch das Layout und Ende ist. Sollte das passen, ist die Suche abgeschlossen. Ich werde noch Platz fĂŒr einen zweiten lassen, fĂŒr die, die mehr wollen.

 

Die Rise und Fall Time sieht auch vernĂŒnftig aus. Und ein SPICE Modell ist auch vorhanden.

 

Vielen Dank fĂŒr deine Seelsorgerische Geduld.

 

Barney

Geschrieben

Rechne mal ĂŒber, wieviel Prozent die Schaltzeiten von der Periodendauer ausmachen. Nur dort entsteht ja wirklich AbwĂ€rme. Im durchgesteuerten Zustand ist ja nur Rds-ON x IÂČ, also nicht so viel. Und wie groß die mittlere Leistung/Stromaufnahme beim cruisen ist, weißt Du ja am besten von allen hier ;)

Die 5€ vom C find ich jetzt gar nicht soo wild. Der IRFS3006 ist ja auch schon ein ganz schöner Klopper. KĂŒhlen tut man D-Pak eigentlich nur ĂŒber die Platine mit großen KupferflĂ€chen und Durchkontaktierungen. Wenn Du dort wo die FETs sitzen nur einseitig bestĂŒckst, kannst Du auf die RĂŒckseite der Platine noch einen KĂŒhlkörper setzen. Das ist effektiver, als von oben auf die PlastikgehĂ€use.

 

Seelsorgerische Geduld ist gut. Ist eher wie bei nem Unfall. Man stoppt, um zu helfen :D Ne Spass. Ich freu mich, wenn ich was sinnvolles beisteuern konnte.

GrĂŒĂŸle

Geschrieben
Rechne mal ĂŒber, wieviel Prozent die Schaltzeiten von der Periodendauer ausmachen. Nur dort entsteht ja wirklich AbwĂ€rme. Im durchgesteuerten Zustand ist ja nur Rds-ON x IÂČ, also nicht so viel. Und wie groß die mittlere Leistung/Stromaufnahme beim cruisen ist, weißt Du ja am besten von allen hier ;)

Die 5€ vom C find ich jetzt gar nicht soo wild. Der IRFS3006 ist ja auch schon ein ganz schöner Klopper. KĂŒhlen tut man D-Pak eigentlich nur ĂŒber die Platine mit großen KupferflĂ€chen und Durchkontaktierungen. Wenn Du dort wo die FETs sitzen nur einseitig bestĂŒckst, kannst Du auf die RĂŒckseite der Platine noch einen KĂŒhlkörper setzen. Das ist effektiver, als von oben auf die PlastikgehĂ€use.

 

Seelsorgerische Geduld ist gut. Ist eher wie bei nem Unfall. Man stoppt, um zu helfen :D Ne Spass. Ich freu mich, wenn ich was sinnvolles beisteuern konnte.

GrĂŒĂŸle

 

Rsdon x IÂČ -> kann ja beim Beschleunigen recht hoch ausfallen. Ich möchte +-50A Stromsensoren verwenden. WĂŒrde heißen ca. 0.003 Ohm * 2500 = 7,5W -> die sind ja nicht die ganze Zeit an. Also weniger. Die Schaltzeiten machen mir da eher sorgen.

 

Ich werde erst mal die IRF1404 auf einen KĂŒhlkörper schrauben und diese antesten. Die 40V reichen zum testen. Wenn ich dann ein GefĂŒhl habe, wie warm das ganze wird, werde ich mich abschließend entscheiden. 50A maximaler messbarer Strangstrom (ACS756-050) sollte zum Fahren reichen. SpĂ€ter werden ggf. die ACS756-100 zum Einsatz kommen, falls die Power nicht reichen sollte.

 

VG

 

Barney

Geschrieben

Erste kleine Schritte:

 

BLDC:

Der sehr nette Toshiba Programmierer hat mir gestern eine Version gesendet, die ich auch kompilieren kann. Diese habe ich auch gestern gleich ausprobiert. Dabei hat sich auch die Software fĂŒr die Steuerung per GUI verĂ€ndert. Leider so, dass ich die alten Werte nicht mehr ĂŒbernehmen konnte. NatĂŒrlich habe ich die alten Werte aus dem XML-File ausgelesen und in die GUI eingetragen. Dabei habe ich vergessen den mA/V Faktor fĂŒr die Stromsensoren anzupassen. Der Strom, der dann floss war 7x so hoch wie er sein sollte. Die kleinen ungekĂŒhlten SOT-8 MOSFETs, fĂŒr Imax 14A, wurden sehr warm es roch leicht nach Halbleiter, aber sie haben es ĂŒberlebt :thumbsup:

 

Nachdem ich alle Parameter fĂŒr die Motorsteuerung angepasst habe, lief der Motor (100W) recht ruhig und kraftvoll.

 

PWM-Bremse:

Die Bremsleistung ist derzeit sehr soft. Mal sehen, ob da noch mehr geht.

 

MOSFETs:

Ich kann mich nicht richtig entscheiden. Ich habe immer noch keine Vorstellung, wie warm die MOSFETs werden. 20.000kHz tragen zu einer nicht geringen Verlustleistung bei. Manchmal stehe ich nur auf dem Schlauch und vergesse, dass ich Stromsensoren einsetzen will, die bis +- 50A messen können, da reicht ein MOSFET IRFS3006 völlig aus.

 

D2PACK hat seinen Reitz, dass man die isolierte Seite einfach auf einen KĂŒhlkörper drĂŒckt und fertig. Solange die MOSFETs auf gleicher Höhe aufgelötet sind und die Verlustleistung sich in deutliche Grenzen hĂ€lt. Siehe Antwort von Beatbuzzer.

 

TO-220 oder TO-247 können auf dem KĂŒhlkörper geschraubt werden. Aber drei davon mĂŒssen mit isolier-Unterlagen und Kunststoffschrauben befestigt werden. KĂŒhlkörper hat auch den Vorteil, dass die positive Spannungsversorgung ĂŒber den KĂŒhlkörper herangefĂŒhrt werden kann. Die Stromsensoren ACS756-050 haben leider keine Schraubbefestigung. Diese mĂŒsste ich mit BĂŒgel befestigen.

 

Um vorwÀrts zu kommen, werde ich erstmal die IRF1404, die ich schon gekauft habe, verwenden. SpÀter, bei Erfolg, werde ich diese dann durch den IRFS3006 Typ ersetzen. (und ACS756-100 ??)

Geschrieben
Manchmal stehe ich nur auf dem Schlauch und vergesse, dass ich Stromsensoren einsetzen will, die bis +- 50A messen können, da reicht ein MOSFET IRFS3006 völlig aus.

Stark ĂŒberdimensionierte FETs machen wiederrum auch nicht soviel Sinn, denn die damit einhergehenden Gate-KapazitĂ€ten mĂŒssen ja auch schnell umgeladen werden. Gerade bei hohen Frequenzen braucht das wieder hohe Treiberströme bzw. starke Treiber, was den Aufbau in Richtung LeitungsinduktivitĂ€t noch sensibler macht. EMV lassen wir mal ganz galant unter den Tisch fallen :P

Geschrieben

sehr spannendes thema Barney.

 

Ich hoffe das du das hinbekommst. Leider verstehe ich nur Bahnhof.

Wenn das ganze funktoniert gibt es hoffentlich eine Kleinserie zu einem leistbaren Preis. ;)

 

Gruß Gerald

Geschrieben

PWM Bremse geht!

Es lag an der MotorMind GUI! In der neuen Version kann die Bremsleistung zwischen 0..100% variiert werden.

 

Jetzt fehlt die passende Leistungsendstufe.

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